Micron annuncia la prima memoria DRAM 1α

Micron ha annunciato oggi la spedizione in volume di prodotti DRAM a nodo 1α (1-alfa) realizzati utilizzando la tecnologia di processo DRAM più avanzata al mondo e offrendo importanti miglioramenti in termini di densità di bit, potenza e prestazioni. Questa pietra miliare rafforza la forza competitiva di Micron e completa le sue recenti scoperte con la memoria grafica più veloce al mondo e la prima NAND a 176 strati disponibile.

Micron prevede di integrare il nodo 1α nel suo portafoglio di prodotti DRAM quest’anno per supportare tutti gli ambienti che utilizzano DRAM oggi. Le applicazioni per questa nuova tecnologia DRAM sono estese e di vasta portata, migliorando le prestazioni in tutto, dai dispositivi mobili ai veicoli intelligenti.

Il nodo DRAM 1α di Micron faciliterà soluzioni di memoria affidabili e più efficienti dal punto di vista energetico e fornirà velocità operative LPDDR5 più elevate per piattaforme mobili che richiedono le migliori prestazioni LPDRAM della categoria. L’innovazione di Micron porta la DRAM mobile a più bassa potenza del settore, con un miglioramento del 15% nel risparmio energetico, 1 consentendo agli utenti mobili 5G di eseguire più attività sui loro smartphone senza sacrificare la durata della batteria.

Il nodo di memoria avanzato di Micron supporta densità da 8 Gb a 16 Gb, offrendo la flessibilità necessaria per sostenere molti degli attuali prodotti DDR4 e LPDDR4 di Micron, fornendo al contempo ai clienti di server, client, rete e embedded di Micron il supporto di prodotto efficiente, affidabile ed esteso di cui hanno bisogno. Questa longevità riduce il costo della riqualificazione del cliente all’interno del proprio ciclo di vita del prodotto.

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