All’HotChips 33 Samsung ha confermato che sta sviluppando un modulo di memoria DDR5 con moduli TSV a 8 stack, il doppio di quanto era in grado di fare la memoria DDR4.
Samsung prevede di portare pacchetti a otto stack con altezze inferiori rispetto alla memoria DDR4 a 4 stack. Una riduzione dell’altezza è stata possibile grazie a una minore distanza tra gli stampi (riduzione del 40%) e implementando tecniche di manipolazione di wafer sottili.
Un modulo DDR5 a 8 stack consentirà capacità fino a 512 GB per modulo. Si tratta di un enorme aumento rispetto alla memoria DDR4, che offre principalmente capacità di 32 e 64 GB al massimo, con una fornitura limitata di moduli da 128 GB o 256 GB per il mercato server.
Samsung prevede che la memoria DDR5 fornisca fino all’85% di aumento delle prestazioni rispetto a DDR4, larghezza di banda fino a 7,2 Gbp/s e capacità raddoppiate fino a 512 GB. Allo stesso tempo, i nuovi moduli presenteranno una tensione inferiore di 1,1 V, che in connessione con la regolazione della tensione del modulo aumenterà l’efficienza energetica.
Secondo Samsung, il mercato mainstream passerà alla DDR5 non prima del 2023/2024.
Fonte:Â ComputerBase
