Micron Technology ha annunciato oggi il progetto di costruire il più grande impianto di produzione di semiconduttori nella storia degli Stati Uniti. Il nuovo megafab aumenterà la fornitura nazionale di memorie all’avanguardia e creerà quasi 50.000 posti di lavoro a New York, tra cui circa 9.000 posti di lavoro altamente retribuiti per Micron.
Micron intende investire fino a 100 miliardi di dollari nei prossimi 20 anni per costruire un nuovo megafab a Clay, New York, con una prima fase di investimento di 20 miliardi di dollari prevista entro la fine di questo decennio. Si tratta del più grande investimento privato nella storia dello Stato di New York.
L’investimento di Micron nella contea di Onondaga, a New York, andrà ad aggiungersi alla fabbrica di produzione ad alto volume già annunciata dall’azienda a Boise, nell’Idaho. Micron progetterà, costruirà e gestirà l’impianto secondo i suoi obiettivi di sostenibilità.
Il megafab di New York fa parte della strategia di Micron di aumentare gradualmente la produzione di DRAM all’avanguardia prodotte in America fino a raggiungere il 40% della produzione globale dell’azienda nel prossimo decennio. I lavori di preparazione del sito inizieranno nel 2023, la costruzione inizierà nel 2024 e la produzione aumenterà progressivamente nella seconda metà del decennio, in linea con le tendenze della domanda del settore. La localizzazione negli Stati Uniti della produzione di DRAM di Micron, leader del settore, comporta enormi vantaggi per i suoi clienti, consentendo loro di realizzare prodotti e soluzioni innovativi utilizzando una catena di fornitura più resiliente, sicura e geograficamente diversificata.
