Micron Technology ha recentemente annunciato un importante traguardo tecnologico: l’azienda è la prima nel settore a iniziare la spedizione di campioni della sua memoria DRAM 1γ (1-gamma), basata sul nodo di sesta generazione (classe 10 nm) a partner dell’ecosistema e clienti selezionati. Questo rappresenta un significativo passo avanti nell’evoluzione delle tecnologie di memoria per l’AI e altre applicazioni avanzate.
Il nuovo nodo DRAM 1γ di Micron segna un’evoluzione rispetto ai precedenti nodi 1α (1-alpha) e 1β (1-beta), portando innovazioni destinate ad alimentare le future piattaforme di calcolo: dal cloud alle applicazioni industriali e di consumo, fino ai dispositivi di Edge AI come PC AI, smartphone e automobili.
La prima implementazione di questa tecnologia avverrà nella DDR5 DRAM da 16 Gb, progettata per offrire capacità di velocità fino a 9200 MT/s, garantendo un aumento di prestazioni fino al 15% e una riduzione del consumo energetico superiore al 20% rispetto alla generazione precedente.
Con l’introduzione dell’intelligenza artificiale nei data center e nei dispositivi edge, la domanda di memoria non è mai stata così elevata. La transizione di Micron verso il nodo DRAM 1γ affronta tre sfide fondamentali:
- Prestazioni migliorate: La DRAM basata su nodo 1γ fornisce performance superiori per supportare il dimensionamento dei calcoli su varie offerte di memoria, dai data center ai dispositivi edge, soddisfacendo i requisiti dei futuri carichi di lavoro AI.
- Risparmio energetico: Il nodo 1γ di Micron, utilizzando la tecnologia CMOS con gate metallico high-K di nuova generazione abbinata a ottimizzazioni di design, consente un risparmio energetico superiore al 20%, migliorando i profili termici.
- Maggiore densità di bit: Sfruttando la litografia EUV, le ottimizzazioni di design e le innovazioni di processo, il nodo 1γ produce oltre il 30% in più di bit per wafer rispetto alla generazione precedente, consentendo di aumentare l’offerta di memoria in modo efficiente.
Scott DeBoer, vicepresidente esecutivo e chief technology & products officer di Micron, ha sottolineato come “l’esperienza di Micron nello sviluppo di tecnologie DRAM proprietarie, combinata con l’uso strategico della litografia EUV, ha portato a un robusto portfolio di prodotti di memoria all’avanguardia basati su 1γ, pronti a spingere avanti l’ecosistema AI”.
L’innovazione del nodo DRAM 1γ è supportata da avanzamenti CMOS, tra cui la tecnologia di gate metallico high-K di nuova generazione che migliora le prestazioni del transistor per una migliore capacità di velocità, ottimizzazione del design e riduzione delle dimensioni delle funzionalità.
Il nodo 1γ servirà come base per i futuri prodotti e sarà integrato in tutto il portfolio di memorie Micron:
- Data center: Le soluzioni di memoria DDR5 basate su 1γ offrono prestazioni fino al 15% più veloci e maggiore efficienza energetica.
- Edge AI: Le soluzioni DRAM a basso consumo 1γ offrono un migliore risparmio energetico e una maggiore larghezza di banda.
- PC AI: I SODIMM DDR5 1γ aumentano le prestazioni e riducono il consumo energetico del 20%, prolungando la durata della batteria.
- Mobile: LPDDR5X 1γ permetterà eccezionali esperienze AI sull’edge.
- Automotive: La memoria LPDDR5X basata su 1γ estende capacità, longevità e prestazioni, raggiungendo velocità fino a 9600 MT/s.
