Samsung Electronics ha annunciato oggi di aver iniziato a produrre in serie la DRAM a 14 nanometri (nm) più piccola del settore basata sulla tecnologia dell’ultravioletto estremo (EUV). A seguito della spedizione da parte dell’azienda della prima DRAM EUV del settore nel marzo dello scorso anno, Samsung ha aumentato il numero di livelli EUV a cinque per offrire il processo DRAM più raffinato e avanzato di oggi per le sue soluzioni DDR5.
Man mano che la DRAM continua a ridimensionare la gamma di 10 nm, la tecnologia EUV diventa sempre più importante per migliorare la precisione del patterning per prestazioni più elevate e maggiori rese. Applicando cinque strati EUV alla sua DRAM da 14 nm, Samsung ha raggiunto la più alta densità di bit, migliorando al contempo la produttività complessiva del wafer di circa il 20%. Inoltre, il processo a 14 nm può aiutare a ridurre il consumo energetico di quasi il 20% rispetto al nodo DRAM della generazione precedente.
Sfruttando l’ultimo standard DDR5, la DRAM a 14 nm di Samsung aiuterà a sbloccare velocità senza precedenti fino a 7,2 gigabit al secondo (Gbps), che è più del doppio della velocità DDR4 fino a 3,2 Gbps.
